更新时间:2014-04-01 10:34:12点击次数:614字号:|

接触式ic卡



产品介绍:



明华4442卡

主要指标:

  • 256字节eeprom组织方式

  • 32位保护存储器组成方式

  • 3字节用户密码,密码错误计数:3次。

  • 温度范围:0℃~70℃

  • 至少10万次擦写

  • 至少10年数据保存期


明华4428卡

主要指标

  • 1024字节的eeprom

  • 1024字节的写保护区(固化数据)

  • 2字节的密码,错误计数8次

  • 温度范围:-35℃~80℃

  • 至少100,000次擦写循环

  • 至少10年数据保存期


明华24c01a/02/04/08/16/64系列卡

主要特点:

  • 加密存储卡;

  • 容量分别为1k/2k/4k/8k/16k/64k bit;

  • 循环擦写:1,000,000次;

  • 数据保存期:100年;

  • 温度范围:-250c-700c;

  • 结构单一,无分区,只有读、写操作。


明华93c46/93c46a

主要特点:

  • 非加密存储卡;

  • 容量:1024 bit ;

  • 串行三线总线;

  • 循环擦写:1,000,000次;

  • 数据保存期:100年;

  • 温度范围:-25oc-70oc;

  • 结构单一,没有分区,只有读写两种操作;

  • 93c46是按单字节读写,93c46a按双字节进行读写。


明华1101卡

ssf1101为4mbit的串行闪速存储器(flash memory), 串行口符合spi协议. 芯片具有四根器件识别脚, 因此在一个系统中可以扩展使用多达16片.

主要特点:

  • spi串行数据接口,符合spi标准

  • 4m bit 闪存 存储器,512页面,每页面1024字节

  • 内置 4 位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片芯片

  • 双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据, 读取/写入地址自动递增

  • 高速页面编程,典型时间 20 ms

  • 高速页面到数据缓冲器传输,典型时间 100 us

  • 内置擦除/编程时序逻辑

  • 页面擦除典型时间 10 ms

  • 器件擦除典型时间 2 s

  • 硬件写保护

  • 最高10 mhz时钟频率

  • 低功耗,单电源5v工作,有低电压2.7v~3.5v可选择

  • 约18ua 典型休眠电流

  • cmos 和 ttl 输入/输出电平兼容

  • 宽工作温度( 商用 )

  • 内置加电复位电路

  • 在进行buffer和主flash之间的传送或比较时,可操作未用的buffer和状态寄存器


明华88sc1604卡

主要特点:

  • 16kbit带保护逻辑eeprom;

  • 一个公用区及四个应用区;

  • 三重密码保护;

  • 温度范围:-25oc~70oc;

  • 100,000次擦写循环;

  • 数据保存期达10年。


明华4406卡

主要指标

  • 104位容量

  • 最大可提供20 480计数单位

  • 3字节密码

  • 温度范围:-35℃~80℃

  • 至少10,000次循环擦写次数

  • 至少10年数据保存期


明华at45d041卡
功能:

  • 主存储器容量为4,325,376bit

  • 由2048页组成,每页264字节

  • 两个264字节的数据缓存器

  • 温度范围:-250c—700c

  • 工作频率为10mhz(最大)

  • 工作电压为5v土10%

  • 工作电流读为25ma,写为50ma

  • 数据保持100年

这种型号的ic卡为atmel存储卡,是一种不具备加密功能、大容量的flash存储卡,存储容量为4m位,主存储区有2048页(每页容量为264字节),同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节),页写方式为264字节,页写入时间为7ms。存储结构简单,主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据,如声音、图像或数据。


明华at45db041卡
功能:

  • 主存储器容量为4,325,376bit

  • 由2048页组成,每页264字节

  • 两个264字节的数据缓存器

  • 温度范围:-250c—700c

  • 工作频率为10mhz(最大)

  • 工作电压为2.7v-5.5v

  • 工作电流读为25ma,写为50ma

  • 数据保持100年

这种型号的ic卡为atmel存储卡,是一种不具备加密功能、大容量的flash存储卡,存储容量为4m位,主存储区有2048页(每页容量为264字节),同时还提供两个独立双向的数据缓存区(每个数据缓存区容量为264字节),页写方式为264字节,页写入时间为7ms。存储结构简单,主要用于存放一些保密性要求不高、数据量极大的数据,如声音、图像或数据。